Des chercheurs de Hewlett-Packard ont enfin pu démontrer le bien fondé de la théorie, grâce à une découverte qui pourrait mener à la réalisation de circuits de mémoire capables d’emmagasiner plus de données tout en consommant beaucoup moins d’énergie que les circuits équipant les ordinateurs et autres appareils électriques modernes.

Le nouvel élément de circuit découvert — appelé «memristor» — pourrait permettre la fabrication de téléphones cellulaires capables de fonctionner des semaines à la fois sans recharge, de PC démarrant instantanément et de portables gardant en mémoire les données d’une session longtemps après l’épuisement de la batterie.

Cette technologie pourrait constituer un nouveau rival de taille à la mémoire Flash, utilisée à grande échelle dans les produits électroniques en raison de sa capacité à retenir de l’information même lorsqu’un appareil est éteint. Des puces intégrant la nouvelle technologie de HP seraient plus rapides, consommeraient moins d’énergie et occuperaient bien moins d’espace que les puces Flash actuelles.

Les chercheurs soupçonnaient depuis les années 1970 qu’en plus des trois éléments de base connus d’un circuit — la résistance, le condensateur et l’inducteur — un quatrième élément fondamental était réalisable.

Le memristor conçu par les chercheurs de HP Labs et décrit aujourd’hui dans le journal scientifique Nature est fait d’une couche de dioxyde de titane insérée entre deux électrodes de métal. Les scientifiques ont découvert que la quantité de résistance émise par le dispositif dépend de l’intensité de la charge électrique l'ayant précédemment traversé.

Cette caractéristique procure au memristor la capacité innée de se «rappeler» la quantité de charge l’ayant traversé longtemps après sa désactivation. Cela signifie que le circuit lui-même peut être réalisé avec une fonction de mémoire intégrée à sa conception.

Autrement, les données doivent être stockées dans des transistors «énergivores» spécifiquement configurés pour l’entreposage. Également, cela oblige à gruger de l’espace précieux sur les microprocesseurs ou encore à prévoir des puces de mémoires distinctes.

Stan Williams, titulaire de recherche chez HP Labs et l’un des quatre chercheurs identifiés dans l’article publié par Nature, explique que son équipe est parvenue à identifier ce comportement électrique et à concevoir une structure capable d’en harnacher la puissance. L’effet est plus apparent — et gagne en intensité — proportionnellement à la miniaturisation du filage dans les circuits.

Associated Press (AP) 
Jordan Robertson